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32.5 (1)
-
筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（正压控制）

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
NC16511C-0006
...

GaAs FET 开关芯片（正压控制）

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
NC16512C-0006
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
NC1663C-206
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
NC16601C-106
...

单片均衡器

频率:2-6GHz,插入损耗:0.6dB,接口:键合金丝,均衡量:4dB,
HGC132-4
...

单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC1001LP4
...

单刀双掷

频率:0.1-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:60dB,
HGC1002LP4
...

单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC1004LP4
...

单刀双掷

频率:0.1-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:50dB,
HGC1005LP4
...

单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:40dB,
HGC1019LP4
...

单片均衡器

频率:0.5-6GHz,插入损耗:0.6dB,接口:键合金丝,均衡量:5dB,
HG114JD-06
...

单片均衡器

频率:0.5-6GHz,插入损耗:0.6dB,接口:键合金丝,均衡量:6dB,
HG115JD-01
...

开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:21dB,
HG124K2
...

一位dB数控衰减

频率:0-6GHz,插入损耗:0.7dB,步进:31dBm,
SIAT034
...

一位.dB数控衰减

频率:0.1-6GHz,插入损耗:0.8dB,步进:32.5dBm,
SIAT081SP3

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