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筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:55dB,开关时间:10ns
NC1620C-106
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.3dB,隔离度:50dB,开关时间:10ns
NC1643C-106PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16106C-106
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50dB,开关时间:20ns
NC16113C-106PD
...

GaAs FET 开关芯片（正压控制）

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
NC16511C-0006
...

GaAs FET 开关芯片（正压控制）

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
NC16512C-0006
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
NC1663C-206
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
NC16601C-106
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限幅器芯片

频率:2-6GHz,损耗:0.5,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
NC1807C-206
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射频开关

DC-6000MHz双刀双掷机电开关，工作电压24V,开关时间15ms
L2N22406
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开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:50dB,
HG123KF-1
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耦合器

1000-6000MHz耦合器，耦合度10dB，SMA-K，功率容量50W
ZDC9-10M1000-6000-701
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耦合器

1000-6000MHz定向耦合器，耦合度10dB，SMA-K，50W
YB9-10M1000-6000-701
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关，工作电压28V，开关时间15mS
1S22806
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关，工作电压12V，开关时间15mS
1S21206
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关，TTL控制，工作电压12V，开关时间15mS
1S21206T

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