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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:55dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.3dB,隔离度:50dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50dB,开关时间:20ns
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开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:50dB,
HG123KF-1
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耦合器

1000-6000MHz耦合器,耦合度10dB,SMA-K,功率容量50W
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耦合器

1000-6000MHz定向耦合器,耦合度10dB,SMA-K,50W
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开关

1000-6000MHz单刀双掷开关,SMA-K
TSS537
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.1dB,隔离度:60dB,
HGC1003LP4
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:60dB,
HGC1006LP4
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单刀三掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
HGC1007LP4
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单刀四掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:40dB,
HGC1009LP4
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单刀四掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:40dB,
HGC1010LP4
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单刀五掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
HGC1011LP4
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单刀六掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:50dB,
HGC1013LP4
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数控衰减器芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,
HGC2005