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功率放大器芯片

频率:5-6GHz,增益:22.5dBm,输出功率:30dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:5-6GHz,增益:22.5dBm,输出功率:31dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:5-6GHz,增益:26dBm,输出功率:38dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:5-6GHz,增益:25dBm,输出功率:40dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:5-6GHz,增益:23dBm,输出功率:40.8dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:5-6GHz,增益:24dBm,输出功率:42dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:17dBm,输出功率:45dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:5-6GHz,增益:22dBm,输出功率:46dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:2-6GHz,损耗:11dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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数控移相器芯片

频率:5-6GHz,损耗:6.3dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:5-6GHz,损耗:5.3dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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数控移相器芯片

频率:5-6GHz,损耗:6dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:55dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.3dB,隔离度:50dB,开关时间:10ns