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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16106C-106
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50dB,开关时间:20ns
NC16113C-106PD
...

GaAs FET 开关芯片（正压控制）

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
NC16511C-0006
...

GaAs FET 开关芯片（正压控制）

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
NC16512C-0006
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
NC1663C-206
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
NC16601C-106
...

带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:2-6GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
NC1713C-206
...

带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:2-6GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
NC1713C-206M
...

多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:3-6GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
NC1731C-0518
...

多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:3-6GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
NC1731C-0518M
...

多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:5-6GHz,LO/RF隔离度:14dB,变频损耗:dB
NC17119C-506
...

°电桥芯片

频率:3-6GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:18dB
NC6532C-306
...

°两路功分器芯片

频率:2-6GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:17dB
NC6503C-206U
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滤波器芯片

低通频率:0-6GHz,损耗:1.4dB,抑制度:20dB，射频端口：键合金丝
NC6612C-060
...

滤波器芯片

低通频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,抑制度:20dB，射频端口：键合金丝
NC6642C-060
...

滤波器芯片

高通频率:2-6GHz,损耗:1.5dB,抑制度:20dB，射频端口：键合金丝
NC6613C-206

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