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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
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耦合器

4000-8000MHz耦合器,耦合度30dB,SMA-K
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双工器

双工器频率7238-7246&8144-8164MHz
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单刀双掷

频率:0.1-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:60dB,
HGC1002LP4
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单刀双掷

频率:0.1-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:50dB,
HGC1005LP4
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:40dB,
HGC1019LP4
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开关芯片

频率:0-8GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:55dB,
HG123KF-1A
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开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:21dB,
HG124K2
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限幅器芯片

频率:8.5-11.5GHz,插入损耗:0.7dB,接口:键合金丝,尺寸:1.7×1.4mm
HG125X3
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电调均衡

频率:2-7GHz,插入损耗:0.7dB,接口:贴装焊接,均衡量:9.5dB,
SIE055SP3
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一位dB数控衰减

频率:0-6GHz,插入损耗:0.7dB,步进:31dBm,
SIAT034
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一位.dB数控衰减

频率:0.1-6GHz,插入损耗:0.8dB,步进:32.5dBm,
SIAT081SP3