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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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数控衰减器模块

频率:1-8GHz,最大增益7dBm
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耦合器

1000-6000MHz耦合器,耦合度10dB,SMA-K,功率容量50W
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耦合器

1-10GHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

1000-6000MHz定向耦合器,耦合度10dB,SMA-K,50W
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开关

1000-6000MHz单刀双掷开关,SMA-K
TSS537
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单片均衡器

频率:1-12GHz,插入损耗:1dB,接口:键合金丝,均衡量:4dB,芯片尺寸:1.0*0.75*0.1
AMEQ1X02S