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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
NC1604C-112
...

数控衰减器芯片

频率:0-18GHz,损耗:1.6dB,射频端口:键合金丝,步进:16,最大衰减:16
NC1322C-118A
...

数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:1.6dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:3.75
NC1326C-118
...

电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.8dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
NC13128C-409
...

电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
NC1386C-409
...

电调衰减器芯片

频率:7-13GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
NC1387C-713
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
NC1601C-118PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
NC16114C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16106C-106
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
NC1630C-112
...

均衡器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1.8dB，均衡量：2.5dB
NC6013C-218
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GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:50dB,
ISW-0018ST
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双工器

双工器频率13.5-13.82&13.98-14GHz
ZCB5-C13.5-14G-409
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开关

1000-6000MHz单刀双掷开关，SMA-K
TSS537
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耦合器

8000-18000MHz耦合器，耦合度10dB，微带焊盘
ZDC2-10M8-18G-1801
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耦合器

500-18000GHz耦合器，10W，30W，SMA-K
ZDC5-10M0.5-18G-729

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