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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:55dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50dB,开关时间:20ns
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限幅器芯片

频率:5-8GHz,损耗:1,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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开关芯片

频率:0-8GHz,插入损耗:1dB,隔离度:40dB,
HG133K-2
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耦合器

1000-6000MHz耦合器,耦合度10dB,SMA-K,功率容量50W
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耦合器

2000-8000MHz耦合器,耦合度10dB,SMA-K
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耦合器

2000-8000MHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

2000-800MHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

1000-6000MHz定向耦合器,耦合度10dB,SMA-K,50W
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频分器

频分器频率7GHz-14GHz&15.4GHz-40GHz
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耦合器

4000-8000MHz耦合器,20dB,SMA-K
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耦合器

4000-8000MHz耦合器,10dB,SMA-K
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全正电,匹配式 SPDT

频率:0.1-8GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC117
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC1001LP4
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.1dB,隔离度:60dB,
HGC1003LP4
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC1004LP4