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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CS0406-10
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益14dBm,输出功率:15W,射频端口:贴装焊接
CS0406-15
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益15.2dBm,输出功率:200W,射频端口:贴装焊接
CS0406-200
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益17dBm,输出功率:350W,射频端口:贴装焊接
CS0406-350
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:470GHz-610GHz,增益15.8dBm,输出功率:420W,射频端口:贴装焊接
CS0406-420
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低噪声放大器模块

频率:0.1-1GHz,最大增益25dBm
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低噪声放大器模块

频率:0.7-1GHz,最大增益17dBm
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低噪声放大器模块

频率:0.7-1.4GHz,最大增益25dBm
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低噪声放大器模块

频率:0.7-1.4GHz,最大增益27dBm
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低噪声放大器

9KHz-1000MHz高增益放大器,增益50dB,接口N-K,220V供电
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低噪声放大器

200-1700MHz两路低噪声放大器,增益20,噪声系数3
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放大+变频

频率:0.6-1.25GHz,最大增益:9dB,输出功率:16dBm
HGC630
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低噪声放大器芯片

频率:0.02-1.2GHz,最大增益:16.5dB,噪声系数:1.5dB,输出功率:21dBm,5V,40mA
HG112F8