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低噪声放大器芯片

频率:4-8GHz,增益:22dBm,输出功率:7dBm,噪声:1.2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:4-8GHz,增益:25dBm,输出功率:13dBm,噪声:1.4,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:5-7GHz,增益:20dBm,输出功率:28dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2-6.5GHz,增益:23dBm,输出功率:43dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:4-7GHz,损耗:0.3dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
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数控衰减器芯片

频率:0-8GHz,损耗:4dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:51
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数控衰减器芯片

频率:0-8GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:2-8GHz,损耗:3.2dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:2-8GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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电调衰减器芯片

频率:6-8GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:36
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:2-6.5GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:2.5-7GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:8.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:2.5-7GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:8.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:3-8GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:8.5dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:3-6.5GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:7dB