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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:3.9-6.2GHz,LO/RF隔离度:18dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:4.5-8GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:11dB
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°电桥芯片

频率:4-8GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:16dB
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°三路功分器芯片

频率:3.5-6.5GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:14dB
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滤波器芯片

低通频率:0-7GHz,损耗:2.4dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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滤波器芯片

低通频率:0-8GHz,损耗:2.4dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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内匹配功率管

频率:5.9GHz-6.7GHz,增益8.5dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:6.4GHz-7.2GHz,增益12.5dBm,输出功率:42.5dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:6.4GHz-7.2GHz,增益10.8dBm,输出功率:51.8dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:8GHz-8GHz,增益13dBm,输出功率:20dBm,射频端口:贴装焊接
NC41145S-8
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:8GHz-8GHz,增益13dBm,输出功率:27dBm,射频端口:贴装焊接
NC41143S-8
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:8GHz-8GHz,增益8.5dBm,输出功率:29.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC4135S-8
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:8GHz-8GHz,增益6dBm,输出功率:32dBm,射频端口:贴装焊接
NC4119S-8
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:8GHz-8GHz,增益11dBm,输出功率:32.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC41142S-8
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GaAs 内匹配功率管

频率:5.9GHz-6.7GHz,增益10dBm,输出功率:39dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:6.3GHz-6.6GHz,增益9dBm,输出功率:41dBm,射频端口:贴装焊接