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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0.5-12GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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限幅器芯片

频率:1-8GHz,损耗:0.35,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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均衡器芯片

频率:2-12GHz,损耗:0.94dB,均衡量:2.4dB
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均衡器芯片

频率:2-12GHz,损耗:0.4dB,均衡量:4dB
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耦合器

2000-8000MHz耦合器,耦合度10dB,SMA-K
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耦合器

2000-8000MHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

2000-800MHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

1-10GHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

1000-14000MHz耦合器,耦合度10dB,SMA-K
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单片均衡器

频率:2-12GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,均衡量:4dB,
HGC133-4
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单片均衡器

频率:2-12GHz,插入损耗:0.6dB,接口:键合金丝,均衡量:8dB,
HGC133-8
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全正电,匹配式 SPDT

频率:0.1-8GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC117
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单刀双掷

频率:0.1-8GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,
HGC117LP4
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限幅器芯片

频率:1-8GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝
HGC181-8
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限幅器芯片

频率:3-9GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝
HGC181-8B