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低噪声放大器芯片

频率:4-7GHz,增益:25dBm,输出功率:9dBm,噪声:0.9,射频端口:键合金丝
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MEMS带通滤波器

频率:3.7-8.3GHz,中心频率插损:1dB
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MMIC高通滤波器

频率:4-26.5GHz
BWHF-4G
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低噪声放大器芯片

频率:4-7GHz,增益:14dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.6,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:4-8GHz,增益:14dBm,输出功率:14dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:4-8GHz,增益:22dBm,输出功率:7dBm,噪声:1.2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:4-8GHz,增益:25dBm,输出功率:13dBm,噪声:1.4,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:4-7GHz,损耗:0.3dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
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数控移相器芯片

频率:4-14GHz,损耗:0.3dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.8dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4-9GHz,损耗:0.5dB,隔离度:70dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:4-10GHz,LO/RF隔离度:21dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:4.5-10.5GHz,LO/RF隔离度:35dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:4.5-8GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:11dB