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-
筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC16104C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
NC1648C-910
...

射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关，工作电压12V,开关时间15ms
1N21212
...

射频开关

DC-12000MHz双刀双掷机电开关，工作电压24V,开关时间15ms
L2N22412
...

单片均衡器

频率:0-12GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,均衡量:9dB,
HG115JH-1
...

耦合器

4000-8000MHz耦合器，耦合度30dB，SMA-K
ZDC5-30M4G-8G-077
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关，TTL控制，工作电压12V,开关时间15ms
1N21212T
...

射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关，TTL控制，工作电压24V,开关时间15ms
1N22412T
...

射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关，TTL控制，工作电压28V,开关时间15ms
1N22812T
...

射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关，工作电压24V,开关时间15ms
1N22412
...

射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关，工作电压28V,开关时间15ms
1N22812
...

反射式 SPDT

频率:0-8GHz,插入损耗:0.65dB,隔离度:35dB,
HGC114-8
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开关芯片

频率:0-8GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:55dB,
HG123KF-1A
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限幅器芯片

频率:8.5-11.5GHz,插入损耗:0.7dB,接口:键合金丝,尺寸：1.7×1.4mm
HG125X3

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