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数控衰减器芯片

频率:0-9GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:25,最大衰减:25
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数控衰减器芯片

频率:0-12GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:20,最大衰减:20
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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限幅器芯片

频率:5-8GHz,损耗:1,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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开关芯片

频率:0-8GHz,插入损耗:1dB,隔离度:40dB,
HG133K-2
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耦合器

2000-8000MHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

2000-800MHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

1-10GHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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双工器

双工器频率10.95-12.75&10.95-12.75GHz,SMA-K
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耦合器

8600-9600MHz耦合器,10dB,SMA-K
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耦合器

4000-8000MHz耦合器,20dB,SMA-K
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耦合器

4000-8000MHz耦合器,10dB,SMA-K
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反射式 SPDT

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:45dB,
HGC114-12
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗:1dB,
HGC230PD