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...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
NC1604C-112
...

电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
NC1386C-409
...

电调衰减器芯片

频率:7-13GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
NC1387C-713
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
NC1601C-118PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
NC16114C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
NC1630C-112
...

GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:50dB,
ISW-0018ST
...

双工器

双工器频率13.5-13.82&13.98-14GHz
ZCB5-C13.5-14G-409
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耦合器

8000-18000MHz耦合器，耦合度10dB，微带焊盘
ZDC2-10M8-18G-1801
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全正电，匹配式 SPDT

频率:0.1-20GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,
HGC127
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W SPDT

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:40dB,
HGC129
...

单刀双掷

频率:0.1-8GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,
HGC117LP4
...

开关芯片

频率:0-8GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,
HG137KA
...

GaAs FET开关

频率:0-19GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:61dB,
ISW-0019DT
...

开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:34dB,1.49*0.977mm×mm
SIS030

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