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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-18GHz,损耗:1.2dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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数控衰减器芯片

频率:1-18GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:10,最大衰减:10
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0.5-12GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB
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均衡器芯片

频率:2-12GHz,损耗:0.94dB,均衡量:2.4dB
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均衡器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1.4dB,均衡量:3.5dB
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均衡器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1.4dB,均衡量:2dB
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耦合器

1-10GHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

1000-14000MHz耦合器,耦合度10dB,SMA-K
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单片均衡器

频率:1-18GHz,插入损耗:0.95dB,接口:键合金丝,均衡量:8dB,
HGC131-8
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单片均衡器

频率:1-18GHz,插入损耗:1.2dB,接口:键合金丝,均衡量:8dB,
HGC131-8B
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单片均衡器

频率:1-18GHz,插入损耗:1.1dB,接口:键合金丝,均衡量:12dB,
HGC131-12
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全正电,反射式 SPDT

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:45dB,
HGC128
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数控衰减器芯片

频率:0.1-18GHz,插入损耗:1dB,
HGC218
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限幅器芯片

频率:2-18GHz,插入损耗:1dB,接口:键合金丝
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.1dB,隔离度:39dB,
ISW1A
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:52dB,
ISW5