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数控移相器芯片

频率:6.5-8.5GHz,损耗:7.3dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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MEMS带通滤波器

频率:6-8.5GHz,中心频率插损:1.2dB
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MEMS带通滤波器

频率:6.8-8.4GHz,中心频率插损:1.8dB
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MEMS带通滤波器

频率:7.9-8.5GHz,中心频率插损:2.5dB
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功率放大器芯片

频率:6.5-8.5GHz,增益:25dBm,输出功率:30.5dBm,射频端口:键合金丝
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数控衰减器芯片

频率:0.5-8.5GHz,损耗:2.5dB,射频端口:键合金丝,步进:3,最大衰减:21
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:3-8.5GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:7dB
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GaAs 内匹配功率管

频率:7.7GHz-8.5GHz,增益8dBm,输出功率:35dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:7.7GHz-8.5GHz,增益8.5dBm,输出功率:36.5dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:7.7GHz-8.5GHz,增益8dBm,输出功率:38dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:7.7GHz-8.5GHz,增益7.5dBm,输出功率:41.5dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:7.7GHz-8.5GHz,增益7dBm,输出功率:42dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:7.7GHz-8.5GHz,增益7dBm,输出功率:43.5dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:7.7GHz-8.5GHz,增益6.5dBm,输出功率:47dBm,射频端口:贴装焊接
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低噪声放大器模块

频率:4-8.5GHz,最大增益35dBm
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低噪声放大器模块

频率:7.1-8.5GHz,最大增益42dBm