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MEMS带通滤波器

频率:8.33-8.95GHz,中心频率插损:2.6dB
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低噪声放大器芯片

频率:6-9GHz,增益:26dBm,输出功率:10.5dBm,噪声:1.1,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6.5-8.5GHz,增益:25dBm,输出功率:30.5dBm,射频端口:键合金丝
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数控衰减器芯片

频率:0-9GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:25,最大衰减:25
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数控衰减器芯片

频率:0-9GHz,损耗:2dB,射频端口:键合金丝,步进:32,最大衰减:32
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数控衰减器芯片

频率:0.5-8.5GHz,损耗:2.5dB,射频端口:键合金丝,步进:3,最大衰减:21
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.8dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4-9GHz,损耗:0.5dB,隔离度:70dB,开关时间:20ns
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:3-8.5GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:7dB
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内匹配功率管

频率:8GHz-9GHz,增益8.5dBm,输出功率:51.8dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:7.7GHz-8.5GHz,增益8dBm,输出功率:35dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:7.7GHz-8.5GHz,增益8.5dBm,输出功率:36.5dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:7.7GHz-8.5GHz,增益8dBm,输出功率:38dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:7.7GHz-8.5GHz,增益7.5dBm,输出功率:41.5dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:7.7GHz-8.5GHz,增益7dBm,输出功率:42dBm,射频端口:贴装焊接