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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:28-38GHz,损耗:1dB,隔离度:30dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:24dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:45-65GHz,损耗:0.6dB,隔离度:25dB,开关时间:50ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:83-100GHz,LO/RF隔离度:-dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:83-100GHz,LO/RF隔离度:-dB,变频损耗:9dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:26-38GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:9dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:32-46GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:11dB
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°两路功分器芯片

频率:26-31GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:20dB
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°两路功分器芯片

频率:34-36GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:17dB
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°两路功分器芯片

频率:40-50GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:18dB
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滤波器芯片

带通频率:34-36GHz,损耗:2.9dB,抑制度:33dB,射频端口:键合金丝
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滤波器芯片

带通频率:34-36GHz,损耗:2.9dB,抑制度:31dB,射频端口:键合金丝