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功率检波器芯片

频率:1-12GHz|射频端口连接:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:1-9GHz,增益:21dBm,输出功率:14dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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硅基高通滤波器

频率:2-11GHz,中心频率插损:1.5dB
SIHP2-7B1
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低噪声放大器芯片

频率:1-12GHz,增益:14.5dBm,输出功率:16dBm,噪声:1.6,射频端口:键合金丝
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.8dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0.5-12GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4-9GHz,损耗:0.5dB,隔离度:70dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:4-10GHz,LO/RF隔离度:21dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:4.5-10.5GHz,LO/RF隔离度:35dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:4-11GHz,LO/RF隔离度:13dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:4-11GHz,LO/RF隔离度:13dB,变频损耗:10dB
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滤波器芯片

高通频率:3-12GHz,损耗:2.2dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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表面贴装无源双平衡混频器

频率:4-10GHz,最大增益10dBm