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MEMS带通滤波器

频率:5-9GHz,中心频率插损:0.9dB
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MEMS带通滤波器

频率:5-9.5GHz,中心频率插损:0.8dB
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MEMS带通滤波器

频率:5.9-10GHz,中心频率插损:1.2dB
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硅基高通滤波器

频率:2-11GHz,中心频率插损:1.5dB
SIHP2-7B1
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低噪声放大器芯片

频率:6-9GHz,增益:26dBm,输出功率:10.5dBm,噪声:1.1,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:6-12GHz,增益:9dBm,输出功率:13dBm,噪声:3,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:6-12GHz,增益:9dBm,输出功率:13dBm,噪声:3,射频端口:键合金丝
...

低噪声放大器芯片

频率:6-12GHz,增益:8dBm,输出功率:11dBm,噪声:3.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:6-12GHz,增益:8dBm,输出功率:11dBm,噪声:3.5,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6-13GHz,增益:8.5dBm,输出功率:9.5dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6-13GHz,增益:9dBm,输出功率:8dBm,射频端口:键合金丝
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.8dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4-9GHz,损耗:0.5dB,隔离度:70dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:4-10GHz,LO/RF隔离度:21dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:4.5-10.5GHz,LO/RF隔离度:35dB,变频损耗:10dB