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数控衰减器芯片

频率:0-9GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:25,最大衰减:25
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数控衰减器芯片

频率:0-12GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:20,最大衰减:20
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数控衰减器芯片

频率:1-18GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:10,最大衰减:10
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.9,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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均衡器芯片

频率:2-12GHz,损耗:0.94dB,均衡量:2.4dB
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隔离器

8-15GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗1
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耦合器

12-18GHz双定向耦合器,耦合度20dB,SMA-K,功率容量10W
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耦合器

6-18GHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

1-10GHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

6000-18000MHz耦合器,耦合度30dB,SMA-K
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双工器

双工器频率10.95-12.75&10.95-12.75GHz,SMA-K