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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.7-1.7GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:9.5dB
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硅基带通滤波器

频率:0.5-1.7GHz,中心频率插损:0.8dB
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LTCC带通滤波器

频率:0.8-1.2GHz,中心频率插损:1.5dB
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MMIC巴伦

频率:0.8-2GHz,中心频率插损:6dB
BWBL-R8/2
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滤波器模块

频率:700-1000MHz
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滤波器模块

频率:550-1000MHz
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滤波器模块

频率:800-1300MHz
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.4-1.2GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.7-1.7GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:9.5dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:0.5-2GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:0.5-2GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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°两路功分器芯片

频率:0.5-1.5GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:13dB
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°两路功分器芯片

频率:0.8-2GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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GaN 功率放大器模块

频率:0.8-2GHz,最大增益9dBm