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数控衰减器芯片

频率:6-18GHz,损耗:5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC1397C-618A
...

数控衰减器芯片

频率:6-18GHz,损耗:5.2dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC1397C-618PD
...

数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC1306C-812
...

数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:4.1dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC1346C-812
...

数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:4.6dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC13113C-812PD
...

电调衰减器芯片

频率:7-13GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
NC1387C-713
...

电调衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:25
NC13120C-812
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
NC1648C-910
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
NC16602C-618
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
NC16605C-812
...

°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:-dB
NC6521C-618
...

°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:18dB
NC6506C-618
...

°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:18dB
NC6506C-618M
...

°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
NC6509C-812
...

°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
NC6509C-812M
...

°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:20dB
NC6509C-812A

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