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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:6.1dB,射频端口:键合金丝,步进:1,最大衰减:63
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限幅器芯片

频率:2-18GHz,损耗:0.6,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-18GHz,损耗:1.2dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:2-18GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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功率检波器芯片

频率:1-12GHz|射频端口连接:键合金丝
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数控衰减器芯片

频率:1-18GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:10,最大衰减:10
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:2.8dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:35
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:35
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:1.6dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:3.75
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:3.3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:5.9dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0.5-12GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns