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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.7-1.7GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:9.5dB
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LTCC带通滤波器

频率:0.8-1.2GHz,中心频率插损:1.5dB
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LTCC带通滤波器

频率:0.95-1.25GHz,中心频率插损:2.5dB
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MMIC巴伦

频率:0.8-2GHz,中心频率插损:6dB
BWBL-R8/2
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滤波器模块

频率:700-1000MHz
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滤波器模块

频率:800-1300MHz
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功率放大器芯片

频率:0.9-1.4GHz,增益:29dBm,输出功率:45dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:0.96-1.26GHz,增益:26dBm,输出功率:47dBm,射频端口:键合金丝
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.7-1.7GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:9.5dB
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°两路功分器芯片

频率:0.8-2GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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预匹配功率管

频率:0.9GHz-2GHz,增益10dBm,输出功率:48dBm,射频端口:贴装焊接
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预匹配功率管

频率:0.9GHz-1.2GHz,增益16dBm,输出功率:51dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:0.9-2GHz,最大增益12dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:0.8-2GHz,最大增益9dBm