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数控衰减器芯片

频率:0-12GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:20,最大衰减:20
NC1362C-112
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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1628C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16105C-112PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16105C-112PDM
...

耦合器

1-10GHz耦合器，耦合度20dB，SMA-K
ZDC5-20M1-10G-392
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双工器

双工器频率10.95-12.75&10.95-12.75GHz，SMA-K
ZCB4-C10.95-14.5G-187
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耦合器

8600-9600MHz耦合器，10dB，SMA-K
ZDC5-10M8600-9600-493
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反射式 SPDT

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:45dB,
HGC114-12
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗:1dB,
HGC230PD
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GaAs FET开关

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:51dB,
ISW-0012DT
...

单片均衡器

频率:1-12GHz,插入损耗:1dB,接口:键合金丝,均衡量:4dB,芯片尺寸：1.0*0.75*0.1
AMEQ1X02S

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