-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
...

MEMS带通滤波器

频率:9.35-10.55GHz,中心频率插损:1.4dB
...

MEMS带通滤波器

频率:9.5-10.55GHz,中心频率插损:1.6dB
...

MEMS带通滤波器

频率:9.5-10.6GHz,中心频率插损:1.6dB
...

MEMS带通滤波器

频率:9.9-10.5GHz,中心频率插损:2.6dB
...

MMIC带通滤波器

频率:8.1-9.9GHz,中心频率插损:2.8dB
...

MMIC带通滤波器

频率:9.85-10.5GHz,中心频率插损:2.4dB
...

功率放大器芯片

频率:8.5-10.5GHz,增益:20dBm,输出功率:41.8dBm,射频端口:键合金丝
...

数控移相器芯片

频率:8-10GHz,损耗:7dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
...

数控移相器芯片

频率:8-10GHz,损耗:6.5dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
...

数控移相器芯片

频率:8-10GHz,损耗:6.5dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
...

GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
...

多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:8-10GHz,LO/RF隔离度:55dB,变频损耗:dB
...

多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:8.5-10GHz,LO/RF隔离度:dB,变频损耗:dB
...

多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:9-10GHz,LO/RF隔离度:65dB,变频损耗:dB