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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
NC1604C-112
...

无引线封装微波开关

频率:0-12GHz
NC3618Q-112
...

无引线封装微波开关

频率:0-12GHz
NC3613Q-112
...

无引线封装微波开关

频率:1-12GHz
NC3617Q-112
...

微波开关模块

频率:0-12GHz
NC3613M-112
...

数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:2.8dB,射频端口:键合金丝,步进:2,最大衰减:30
NC1342C-812
...

电调衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:25
NC13120C-812
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0.5-12GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB
NC1631C-112PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
NC1630C-112
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耦合器

7-12.4GHz双定向耦合器，耦合度10dB，SMA-K
ZDC5-10M7-12.4G-468
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耦合器

7-12.4GHz双定向耦合器，耦合度20dB，SMA-K
ZDC5-20M7-12.4G-469
...

匹配式 SPT

频率:0-10GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:50dB,
HGC118-PD
...

数控衰减器芯片

频率:0-12GHz,插入损耗:2.5dB,
HGC241-12PD
...

数控衰减器芯片

频率:0.5-12GHz,插入损耗:2dB,
HGC211
...

GaAs FET开关

频率:0-10GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:46dB,
ISW-00106T

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