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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:2.8dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:35
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数控衰减器芯片

频率:0.5-8.5GHz,损耗:2.5dB,射频端口:键合金丝,步进:3,最大衰减:21
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:35
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数控衰减器芯片

频率:1-20GHz,损耗:0.7dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:1.75
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:1.6dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:3.75
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:3.3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:5.9dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:1-2GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0.5-12GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.4-1.2GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:10dB