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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.7-1.7GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:9.5dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:0.5-2GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:0.5-2GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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多功能上变频芯片

单片混频多功能电路,频率:0.4-0.5GHz,LO/RF隔离度:16dB,变频损耗:dB
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°两路功分器芯片

频率:0.5-1.5GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:13dB
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°两路功分器芯片

频率:0.8-2GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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°两路功分器芯片

频率:0.8-4GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.1dB,隔离度:14dB
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°三路功分器芯片

频率:0.8-2.7GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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预匹配功率管

频率:0.42GHz-0.48GHz,增益17dBm,输出功率:58.5dBm,射频端口:贴装焊接
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预匹配功率管

频率:0.42GHz-0.48GHz,增益17dBm,输出功率:61dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器模块

频率:0.8-2GHz,最大增益9dBm
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CS0406-10
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益14dBm,输出功率:15W,射频端口:贴装焊接
CS0406-15
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益15.2dBm,输出功率:200W,射频端口:贴装焊接
CS0406-200
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益17dBm,输出功率:350W,射频端口:贴装焊接
CS0406-350
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:470GHz-610GHz,增益15.8dBm,输出功率:420W,射频端口:贴装焊接
CS0406-420