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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:2-18GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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数控衰减器芯片

频率:1-20GHz,损耗:0.7dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:1.75
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:3.1-3.4GHz,最大增益0.8dBm
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均衡器芯片

频率:1.3-2.3GHz,损耗:0.9dB,均衡量:3.3dB
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开关芯片

频率:2-20GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:45dB,
HG123KA-3
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隔离器

1.6-2.9GHz隔离器,SMA-K,损耗0.8,隔离15,功率10W
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双工器

600-1000MHz&1600-3000MHz双工器,≥70dB@1800-3000MHz&≥70dB@600-1000MHz
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双工器

双工器频率600-1000&1600-3000MHz,SMA-K
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耦合器

1700-2400MHz耦合器,20dB,SMA-K
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耦合器

2000-4000MHz耦合器,30dB,SMA-K
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单片均衡器

频率:1-18GHz,插入损耗:0.7dB,接口:键合金丝,均衡量:6dB,
HGC131-6
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:44dB,
ISW2B1
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:48dB,
ISW210F
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:48dB,
ISW210G