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限幅器芯片

频率:2-18GHz,损耗:0.6,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:2-18GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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数控移相器芯片

频率:6-18GHz,损耗:0.6dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
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数控衰减器芯片

频率:1-20GHz,损耗:0.7dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:1.75
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:3.1-3.4GHz,最大增益0.8dBm
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限幅器芯片

频率:8-12GHz,损耗:0.6,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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均衡器芯片

频率:1.3-2.3GHz,损耗:0.9dB,均衡量:3.3dB
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隔离器

4-8GHz隔离器,SMA-K,隔离18,损耗0.6
YG400-1
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开关芯片

频率:2-20GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:45dB,
HG123KA-3
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隔离器

8-12GHz隔离器,SMA-K
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隔离器

1.6-2.9GHz隔离器,SMA-K,损耗0.8,隔离15,功率10W
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耦合器

6-18GHz耦合器,耦合度30dB,SMA-K