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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0.5-12GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB

频率:0.5-4GHz，最大增益1.2dBm

双工器频率110-115&200-400MHz

频率:1-18GHz,插入损耗:1.2dB,接口:键合金丝,均衡量:8dB,

频率:1-4GHz,插入损耗:1.2dBdB,接口:键合金丝,均衡量:2dB,

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:52dB,

型号:ISW5

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:53dB,

型号:ISW6

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:53dB,

型号:ISW8

品牌	中电科十三所 (2) 康迈微 (1) 中科海高 (1) 华光瑞芯 (1) 芯谷微电子 (3)
最小使用频率(MHz)	500 (2) 400 (1) 1000 (2) 100 (3)	-
最大使用频率(MHz)	12000 (1) 4000 (2) 110 (1) 18000 (1) 40000 (3)	-
接口形式	SMA (1)
类别	单刀单掷 (1) 数控衰减器模块 (1) 均衡器 (2) 单刀五掷 (1) 单刀六掷 (1) 单刀八掷 (1)
类别二	微波单片控制类 (2)
插入损耗(dB)	1.3 (1) 1.2 (7)	-
隔离度(dB)	40 (1) 52 (1) 53 (2)	-
抑制度(dB)	40 (1)	-
功率容量(W)	2 (6)	-
均衡量(dB)	8 (1) 2 (1)	-
开关结构	电子开关 (1)
最大衰减(dB)	16.7 (1)	-
开关时间(ns)	20 (3)	-