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功率放大器芯片

频率:14-18GHz,增益:21dBm,输出功率:39dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:14-18GHz,增益:19dBm,输出功率:43dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:14-18GHz,损耗:9dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控衰减器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.72dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:1.75
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数控衰减器芯片

频率:12-18GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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电调衰减器芯片

频率:12-22GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:13-28GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:13-28GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:14-34GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:10.8dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:14-34GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:10.8dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:14-37GHz,LO/RF隔离度:35dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:12-18GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:7dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:12-16GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
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°电桥芯片

频率:12-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.2dB,隔离度:35dB