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低噪声放大器芯片

频率:12-18GHz,增益:29dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:12-18GHz,增益:29dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:12-18GHz,增益:15dBm,输出功率:16dBm,噪声:2.8,射频端口:键合金丝
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无引线封装低噪声放大器

频率:11-19GHz,最大增益26dBm
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无引线封装低噪声放大器

频率:12-18GHz,最大增益27dBm
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GaAs低噪声放大器

频率:12-20GHz,最大增益:18dB,噪声系数:1.8dB,输出功率:17dBm,5V,60mA
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压控振荡器

频率:13-17GHz,输出功率:7.5dBm,相位噪声@100KHz:-95dBc/Hz,5V,60mA
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压控振荡器

频率:11-17GHz,输出功率:11dBm,相位噪声@100KHz:-92dBc/Hz,5V,60mA
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GaAs宽带单片集成VCO

频率:12-18GHz,输出功率:3dBm,相位噪声@100KHz:-90dBc/Hz,5V,60mA
IVO1218
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GaAs低噪声放大器芯片

频率:12-18GHz,最大增益:15dB,噪声系数:2dB,输出功率:16dBm,5V,55mA芯片尺寸:1.6*1.0*0.1
AMLA0012S
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GaAs低噪声放大器芯片

频率:12-20GHz,最大增益:29dB,噪声系数:1.5dB,输出功率:7dBm,5V,65mA芯片尺寸:2.25*1.2*0.1
AMLA0007S