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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:12-16GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
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°电桥芯片

频率:12-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.2dB,隔离度:35dB
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°三路功分器芯片

频率:12-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:18dB
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:12GHz-12GHz,增益7dBm,输出功率:20dBm,射频端口:贴装焊接
NC4118S-12
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无引线封装低噪声放大器

频率:12-18GHz,最大增益27dBm
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限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.8,限幅电平:17dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.9,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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MEMS带通滤波器

频率:11.7-14GHz,中心频率插损:1.6dB
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GaAs低噪声放大器

频率:12-19GHz,最大增益:19dB,噪声系数:1.35dB,输出功率:7dBm,3.3V,25mA
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GaAs低噪声放大器

频率:12-20GHz,最大增益:18dB,噪声系数:1.8dB,输出功率:17dBm,5V,60mA
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低噪声放大器芯片

频率:12-20GHz,最大增益:29dB,噪声系数:1.1dB,输出功率:6.5dBm,5V,14mA
HG117FG
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滤波器

12000-13400MHz带通滤波器,DC-11400MHz≥40&14100-20000MHz≥40dB
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隔离器

12000-18000GHz隔离器,SMA-K
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功分器

12-18GHz两路0°功分器,SMA-K
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功分器

12-18GHz两路0°功分器,SMA-K
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隔离器

12-15GHz隔离器,SMA-K,隔离度18,损耗0.6