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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:13-28GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:13-28GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:14-34GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:10.8dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:14-34GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:10.8dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:14-37GHz,LO/RF隔离度:35dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:12-18GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:7dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:12-16GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
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°电桥芯片

频率:12-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.2dB,隔离度:35dB
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°三路功分器芯片

频率:12-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:18dB
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内匹配功率管

频率:14GHz-14.5GHz,增益6dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:12GHz-12GHz,增益7dBm,输出功率:20dBm,射频端口:贴装焊接
NC4118S-12
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无引线封装低噪声放大器

频率:12-18GHz,最大增益27dBm
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低噪声放大器模块

频率:12.7-18GHz,最大增益35dBm
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数控移相器模块

频率:13.5-15.5GHz,最大增益12dBm
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限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.8,限幅电平:17dB,|射频端口连接:键合金丝