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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:18-25GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:8.5dB
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°两路功分器芯片

频率:18-26GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:19dB
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向耦合器芯片

频率:18-40GHz,损耗:1dB,耦合度:13-15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-40GHz,损耗:1dB,耦合度:13-15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.6dB,耦合度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.6dB,耦合度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.7dB,耦合度:15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.7dB,耦合度:15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:1dB,耦合度:10dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:1dB,耦合度:10dB,射频端口:键合金丝
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:14.5GHz-14.5GHz,增益6dBm,输出功率:19.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC4144S-14
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:14.5GHz-14.5GHz,增益6dBm,输出功率:23dBm,射频端口:贴装焊接
NC4145S-14
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低噪声放大器模块

频率:16.7-17.7GHz,最大增益21dBm
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低噪声放大器模块

频率:17-27GHz,最大增益14.5dBm
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GaAs 表面贴装/安装功率放大器

频率:14.2-14.5GHz,最大增益19dBm
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无引线封装数控移相/延时器

频率:18.5-23.5GHz,最大增益12dBm