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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:20-40GHz,损耗:0.9dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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限幅器芯片

频率:18-26GHz,损耗:0.9,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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隔离器

20-30GHz隔离器,2.92-K,隔离16,损耗1
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耦合器

17-22GHz耦合器,10dB,SAM-K,30W
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单片均衡器

频率:18-40GHz,插入损耗:1.4dB,接口:键合金丝,均衡量:2dB,
HGC136-2
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单片均衡器

频率:18-40GHz,插入损耗:1.3dB,接口:键合金丝,均衡量:4dB,
HGC136-4
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单片均衡器

频率:18-40GHz,插入损耗:1.4dB,接口:键合金丝,均衡量:6dB,
HGC136-6
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单片均衡器

频率:18-40GHz,插入损耗:1dB,接口:键合金丝,均衡量:6dB,
HGC136-6L
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GaAs FET开关

频率:20-40GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:53dB,
ISW-2040DT