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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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数控衰减器芯片

频率:18-26GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,步进:10,最大衰减:20
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数控衰减器芯片

频率:18-30GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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电调衰减器芯片

频率:18-30GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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°两路功分器芯片

频率:18-26GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:19dB
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向耦合器芯片

频率:18-40GHz,损耗:1dB,耦合度:13-15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-40GHz,损耗:1dB,耦合度:13-15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.6dB,耦合度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.6dB,耦合度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.7dB,耦合度:15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.7dB,耦合度:15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:1dB,耦合度:10dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:1dB,耦合度:10dB,射频端口:键合金丝
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功率分配/合成器模块

频率:18-26GHz,最大增益1.2dBm