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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:20-40GHz,损耗:0.9dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:24-32GHz,损耗:0.7dB,隔离度:43dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:18-32GHz,LO/RF隔离度:22dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:18-50GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:11dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:18-50GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:11dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:19-27GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:21-32GHz,LO/RF隔离度:38dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:24-40GHz,LO/RF隔离度:40dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:24-40GHz,LO/RF隔离度:40dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:24-40GHz,LO/RF隔离度:32dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:20-36GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:9dB