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微波开关模块

频率:21-24GHz
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数控移相器芯片

频率:18.5-23.5GHz,损耗:9dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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数控移相器芯片

频率:18.5-23.5GHz,损耗:9dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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数控移相器芯片

频率:18.5-23.5GHz,损耗:8dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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数控移相器芯片

频率:18.5-23.5GHz,损耗:9.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:18.5-23.5GHz,损耗:9.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:18.5-23.5GHz,损耗:9.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控衰减器芯片

频率:20-40GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:30
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数控衰减器芯片

频率:20-40GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:35
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数控衰减器芯片

频率:19-23GHz,损耗:3.7dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:19-23GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:19-23GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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电调衰减器芯片

频率:20-40GHz,损耗:4dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:1.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns