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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:2-6GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:2-6GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:2-3.5GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
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QPSK调制器芯片

QPSK调制器,频率:2.1-2.4GHz,LO/RF隔离度:dB,变频损耗:dB
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°电桥芯片

频率:2.2-2.4GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:dB
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°两路功分器芯片

频率:2-6GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:17dB
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°三路功分器芯片

频率:2-3GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:19dB
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滤波器芯片

高通频率:2-6GHz,损耗:1.5dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:2-6GHz,损耗:0.6dB,耦合度:15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:2-6GHz,损耗:0.4dB,耦合度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1dB,耦合度:12dB,射频端口:键合金丝
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GaN 功率放大器载体

频率:2-4GHz,最大增益8.5dBm
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GaAs 内匹配功率管

频率:2.13GHz-2.23GHz,增益14dBm,输出功率:42.5dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:2.2GHz-2.3GHz,增益15dBm,输出功率:35dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:2.2GHz-2.3GHz,增益14dBm,输出功率:41dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:2.2GHz-2.3GHz,增益14dBm,输出功率:41.8dBm,射频端口:贴装焊接