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Si LDMOS 功率晶体管

频率:380GHz-480GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CD492
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:380GHz-480GHz,增益17dBm,输出功率:350W,射频端口:贴装焊接
CD493
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:410GHz-510GHz,增益16.5dBm,输出功率:490W,射频端口:贴装焊接
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Si 脉冲功率晶体管

频率:3.1GHz-3.4GHz,增益9dBm,输出功率:5.5W,射频端口:贴装焊接
3DA525
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Si 脉冲功率晶体管

频率:3.1GHz-3.4GHz,增益9dBm,输出功率:11W,射频端口:贴装焊接
3DA526
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Si 脉冲功率晶体管

频率:3.1GHz-3.4GHz,增益7.45dBm,输出功率:25W,射频端口:贴装焊接
3DA527
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Si 脉冲功率晶体管

频率:3.1GHz-3.4GHz,增益7dBm,输出功率:45W,射频端口:贴装焊接
3DA528
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Si 脉冲功率晶体管

频率:2.8GHz-3.1GHz,增益8.5dBm,输出功率:110W,射频端口:贴装焊接
3DA530
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宽带低噪声放大

频率:0.1-18GHz,最大增益:15dB,噪声系数:1.6dB,输出功率:16dBm,5V,36mA
HGC367
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Gain Block 放大器芯片

频率:0.02-5GHz,最大增益:18dB,噪声系数:2.6dB,输出功率:20dBm,5V,67mA
HG114FH-1A
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低噪声放大器芯片

频率:0.02-1.2GHz,最大增益:16.5dB,噪声系数:1.5dB,输出功率:21dBm,5V,40mA
HG112F8
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GaN 功放芯片

频率:0.03-2.5GHz,最大增益:15dB,,28V
HG152FA
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GaAs低噪声放大器

频率:0.1-18GHz,最大增益:15.5dB,噪声系数:1.5dB,输出功率:18dBm,5V,35mA
ILA-0018B