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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:2-6.5GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:2.5-7GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:8.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:2.5-7GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:8.5dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:2-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:2.5-4GHz,LO/RF隔离度:18dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:2-6GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:2-6GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:2-3.5GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
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QPSK调制器芯片

QPSK调制器,频率:2.1-2.4GHz,LO/RF隔离度:dB,变频损耗:dB
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表面贴装无源双平衡混频器

频率:2.5-7GHz,最大增益11dBm
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表面贴装I/Q 混频器

频率:2-3GHz,最大增益10dBm
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表面贴装QPSK、BPSK 调制器

频率:2-3GHz,最大增益7dBm
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表面贴装多功能下变频器

频率:2-6GHz,最大增益dBm
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无引线封装混频器

频率:2.5-7GHz,最大增益10dBm
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混频器

频率:2-4GHz,隔离度:34dB
HG123HB
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混频器

频率:2-6GHz,隔离度:40dB芯片尺寸:1.8*1.0*0.1
AMMX0002S