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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:2-18GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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电调衰减器芯片

频率:2-3GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:30
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:3.1-3.4GHz,最大增益0.8dBm
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限幅器芯片

频率:5-8GHz,损耗:1,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:6-22GHz,损耗:1,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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均衡器芯片

频率:2-12GHz,损耗:0.94dB,均衡量:2.4dB
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开关芯片

频率:2-20GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:45dB,
HG123KA-3
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耦合器

2000-8000MHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

6-18GHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

2000-800MHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

6000-18000MHz耦合器,耦合度30dB,SMA-K
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耦合器

4000-8000MHz耦合器,耦合度30dB,SMA-K
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双工器

600-1000MHz&1600-3000MHz双工器,≥70dB@1800-3000MHz&≥70dB@600-1000MHz
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双工器

双工器频率600-1000&1600-3000MHz,SMA-K