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耦合器

5-18GHz耦合器,耦合器10dB,SMA-K
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.2dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:32
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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电调衰减器芯片

频率:7-13GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:3.1-3.4GHz,最大增益0.8dBm
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限幅器芯片

频率:5-8GHz,损耗:1,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:6-22GHz,损耗:1,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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均衡器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.1dB,均衡量:3dB
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隔离器

8-15GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗1
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耦合器

6-18GHz耦合器,耦合度10dB,SMA-K
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双工器

双工器频率7238-7246&8144-8164MHz
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频分器

频分器频率0.1GHz-0.95GHz&1.05GHz-3GHz
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双工器

双工器频率500-1000&1150-3000MHz,SMA-K